| abstract
| - [[Файл:PICT0111.jpg|thumb|250px|ПОСТОЯННЫЙ ТОК (фиолетовая) плазма наночастиц углерода увеличивает рост его в этом лабораторном аппарате PECVD в масштабе установки.]]Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала или слоя на другой (от греч. επι — на и ταξισ — расположение, порядок), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Эпитаксия наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава), также при коррозии и др.. Эпитаксия зависит и образуется в условиях сопряжения кристаллических решёток нарастающего кристалла и подложки, при этом с облюдается преимущественно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, кристаллизирующиеся с одинаковыми или близкими структурными характеристиками вещества, например, гранецентрированного куба Ag и решётки типа NaCI, сфалерита и решётки типа алмаза. Тем не менее эпитаксию можно получить и для резко различающихся структур, например, решёток типа корунда и алмаза. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией. Эпитаксия особенно легко осуществляется, если разность постоянных решёток не превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют дислокации несоответствия. Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной.
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)